Chi tiết sản phẩm Ram Server & Workstation Kingston (KSM26ES8/8HD) 8GB DDR4 2666MHz ECC

Được phát triển để ổn định tối đa

Ram Server & Workstation Kingston được phát triển đặc biệt dành cho các hệ thống máy chủ quan trọng đòi hỏi thời gian hoạt động và độ ổn định tối đa. Mô-đun bộ nhớ được thiết kế để nhắm mục tiêu các yêu cầu cụ thể của nhóm khách hàng Trung tâm dữ liệu (Data Centre) &  Dữ liệu đám mây (Cloud customers), Nhà tích hợp hệ thống  (System Integrators )

Thiết kế Plug and Play

RAM được sản xuất có tính đến các yêu cầu của hệ thống máy tính hiện đại, đảm bảo tính linh hoạt và độ tin cậy của nó. Thiết kế trên giao diện DDR4, có dung lượng 8 GB và DIMM 288 chân. Tần số tối đa của thiết bị đạt 2666 MHz, và băng thông là 21300 Mb / s.

Với thiết kế PnP, dễ dàng lắp đặt vào bộ máy của bạn mà không phải cấu hình.

Đặc tính nổi bật

Ram Server & Workstation Kingston DDR4 ECC mang đến hiệu năng cao hơn, dung lượng RAM lớn hơn, nâng cao tính toàn vẹn dữ liệu và tiêu thụ điện năng ít hơn. Băng thông đạt hơn 2Gbps và tiêu thụ điện năng ít hơn so với DDR3L (DDR3 Điện áp Thấp), DDR4 mang đến hiệu năng và dung lượng băng thông cao hơn 50% trong khi giảm mức tiêu thụ điện năng tối đa. Đây là mức cải tiến đáng kể so với các công nghệ bộ nhớ trước đây và bạn có thể tiết kiệm được đến 40% điện năng.

Ngoài việc tối ưu hóa hiệu năng, thân thiện hơn với môi trường và có chi phí thấp hơn, DDR4 còn trang bị tính năng kiểm tra phần dư tuần hoàn (CRC) để tăng độ tin cậy của dữ liệu, cải thiện khả năng phát hiện tính chẵn lẻ trên chip nhằm xác thực tính toàn vẹn của việc truyền lệnh và địa chỉ qua một liên kết, nâng cao tính toàn

Ram Server & Workstation Kingston được trang bị công nghệ tự sửa lỗi ECC giúp tự theo dõi, tự phát hiện và tự sửa lỗi khi có sự cố trên Ram. Giúp bộ nhớ của bạn hoạt động liên tục 24/7 mà không bị gián đoạn.

Tính năng đặc trưng

• Ngắt kết nối danh nghĩa và động (ODT) cho tín hiệu dữ liệu
• Tự động làm mới ở nguồn điện thấp (LPASR)
• Đảo ngược bus dữ liệu (DBI) cho bus dữ liệu
• Tạo và hiệu chuẩn VREFDQ
• On-board l2 hiện diện-phát hiện (SPD) EEPROM
• Cảm biến nhiệt độ tích hợp SPD
• Chỉnh sửa burst-chop(BC)4 và độ dài burst(BL) thông qua bộ đặt chế độ (MRS)
• Có thể lựa chọn BC4 hoặc BL8 trực tiếp (OTF)